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半导体技术的发展尽管可以追溯到十九世纪七十年代方铅矿检波管的出现，但作
为一门工业技术得到发展，是1984年美国科学家肖文莱等人发明晶体三极管以后的事
情。特别是本世纪五十年代末，平面工艺的出现，为半导体技术的大发展．尤其为集成电
路的生产和发展奠定了牢固的基础．成了半导体技术发展史上的一个量要里程碑。在此
后三十年的时间里、半导体技术已经历了几代的变迁．产生了巨大的飞跃，成为现代科
学技术和社会生产发展的强大动力，是当今发展最快的技术，当代产业苯命的贯要内
容。
综观半导体技术的发展历程，我们可以看到，它是从低额到高獭、从小功率到大功
率、从简单功能到复杂功能，以及从分立元件向集成电路、大规模和超大规模集成电路
发展。目SV正持续这个趋向．期首更大功率、更高频率、更低噪声、更高集成度以及非电
量与电量之间相互转换的方向推进。
功率晶体管是半导体器件的置要组成部分．由于它具有电流容量大、耐压高和功率
处理能力强等优点，目前集成电路还难以取代。因此，在集成电路迅速发展的今天，它仍
有着广阔的发展前景，并将继续广泛用于国民经济和国防建设备部门。
随着应用领域的扩展，以及半导体技术树研成果的不断涌现，功率晶体管性能日益
提高，新结构、新工艺和新器件层出不穷。从五十年代到七十年代中期，相继出现了外延
平面、单扩散、三贯扩散、达林顿等双极型功率晶体管。七十年代中期美国sIM(10NIx
公司研制成功了vMOS功率场效应晶体管以后，使得M帕场效应晶体管从小功率推向
大功串，从而打破了双极型器件垄断功率晶体管市场的局面。在短短的十年里，MQ功
率场效应晶体管由于其高输入阻抗、低驱动功率、无二次击穿现象、功率处理能力强、极
小的温度系数和类似电子管的工作待性等优点。又借助于微细加工、离子注入、计算机
辅助设计．以及硅材科技术的发展基础，先后研制出了多种新型的横向结构和纵向结构
功率器件。这些新型结构的M帕功率场效应器件的出现．正在逐步克服双极型功率器
件的缺点，而成为双极型功率晶体管的强有力的竞争对手。与此同时发展起来的赎电感
皮功率晶体管在日本投入了较大的研究和生产力量，也取得了一定的进展。
为了促进我国功率晶体管开发、生产相应用的发展．中国电于器件工业总公司组织
编写了《国内外功率晶体管实用手册》。这本手册在内容的取台安排上．力求做到对从寥
功率晶体管研制、开发与生产酌科技人员和使用功率晶体管的线路工作者都有参考价
值。
本手册分上、下船出版，上吩为基础知识与国内功率晶体管；下册为国外功率晶体
管。全书共给出了811种国内外较为通用的功率晶体管的技术数据、持性曲线、外形及
部分芯片团尺寸。其中650种国外功率晶体管的达到来源于两方面：一是从近年来国
内各有关革：：从国外进刚9型号中挑选出来的，这部分占多数，再是从美国、日本、西欧
，—些生产功率晶体管的主要公司的产品目录中It速出来的。
鉴于目前双极型功率晶体管仍然是国内外功率晶体管的主要产品，所以本手册例
置于选取硅双极型功率晶体管的品种型号。MOS功串场效应晶体管近十年来发展
很快，在本手册中也占有相当大的比例．